Huis
>
PRODUCTEN
>
Het Wafeltje van het indiumfosfide
>
|
| Plaats van herkomst | China |
| Merknaam | ZMSH |
| Certificering | ROHS |
| Modelnummer | InSb Wafers |
Beschrijving:
1Indium-antimonide is een halfgeleider dat tot het infrarood spectrum behoort.
2Indium antimonide (InSb) is een samengesteld halfgeleidermateriaal dat bestaat uit indium (In) en antimon (Sb) elementen.
3Indium antimonide heeft ook een hoge drager mobiliteit en lage geluidskenmerken in highspeed elektronica en lage geluidsversterkers.
4De chemische formule is InSb. Indium antimonide is een belangrijk halfgeleidermateriaal met speciale elektronische en optische eigenschappen.
Het heeft dus een breed scala aan toepassingen op het gebied van opto- en elektronica.
5Bovendien kan indium antimonide ook worden gebruikt in quantum effect apparaten, zoals quantum well structuren en quantum dot apparaten.
Vanwege zijn uitstekende kwantum eigenschappen, zoals quantum beperkende effecten en quantum tuning eigenschappen.
1Snelle reactie: InSb-detectoren hebben een snelle reactietijd en kunnen veranderingen in infraroodstralingssignalen in realtime vastleggen.
2. Lage geluidsdruk: InSb-materialen hebben een laag geluidsniveau, waardoor duidelijke infraroodbeelden en nauwkeurige spectrale informatie kunnen worden verkregen.
3Hooggevoeligheid: InSb-materiaal heeft een hoge gevoeligheid in de midden-infraroodband, waardoor infraroodstraling effectief kan worden gedetecteerd en omgezet.
4- Laagtemperatuurwerking: InSb-detectoren moeten gewoonlijk werken bij lagere temperaturen, meestal onder 77 K (temperatuur vloeibare stikstof)
5- breed bandbereik: InSb-materialen hebben een breed gamma aan infraroodstraling inductie,met een vermogen van meer dan 50 W,.
Technische parameters:
| enkelkristal | InSb |
| Diameter | 2 ̊ 3 ̊ ((+/- 0,3 mm) |
| Dikte | 500/600 ((+/-25um) |
| Dopant | Geen |
| Leidingsoort | N |
| Concentratie van drager ((cm-3) | 3E15 |
| Verplaatsingsdichtheid ((cm-2) | < 2*102 |
| Grietconstante | 0.648nm |
| Moleculair gewicht | 236.58 |
| Versmeltpunt | 527°C |
| dichtheid | 50,78 g/cm3 |
| Bandgap | 0.17eV ((300K) |
| 0.23eV ((80K) |
Toepassingen:
| Infraroodbeelden | InSb-kristalmateriaal wordt veel gebruikt in infrarood beeldvorming. |
| Elektronisch apparaat met hoge snelheid | vanwege hun hoge dragermobiliteit en lage elektronische kwaliteit, kunnen worden gebruikt voor de vervaardiging van hogesnelheidselektronica. |
| Spectrometers en optica | InSb-kristallen worden veel gebruikt bij de vervaardiging van infrarood Stralingsmelders. |
| Spektralanalyse | InSb-kristallen kunnen worden gebruikt voor infrarood spectrale analyse vanwege hun transparantie en hoge gevoeligheid in de infraroodband. |
| Quantumputtoestel | Met behulp van de kwantumputstructuur van de InSb-chip kan een reeks kwantumputtoestellen worden vervaardigd |
| Stralingsdetectie | InSb-kristallen worden veel gebruikt bij de vervaardiging van infrarood Stralingsmelders. |
| Thermo-elektrisch materiaal | InSb-chips kunnen thermische energie omzetten in elektriciteit voor toepassingen zoals thermo-elektrische energieopwekking en temperatuurmeting. |
Andere aanverwante producten:
SIC-wafers:
Vragen:
V: Wat is de certificering vanTe-InSb?
A: De certificering vanTe-InSbis ROHS.
Wat is de merknaam vanTe-InSb?
A: De merknaam vanTe-InSbis ZMSH.
V: Waar is de plaats van oorsprong vanTe-InSb?
A: De plaats van oorsprong vanTe-InSbis China.
V: Wat is het MOQ vanTe-InSb tegelijkertijd?
A: Het MOQ vanTe-InSbis 25 stuks tegelijk.
Contacteer op elk ogenblik ons
